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2017/05/24

ADF4351 近接スプリアス HPFを入れてみる

やってみると、失敗だったことがすぐにわかる。後から考えてみると、当たり前だとわかるが、考えているだけだとわからないことが多い。

ADF4351の近接スプリアスを取るための実験だ。以下は、前回撮った写真だ。左側の高い輝線はDCレベルを表しており、この前後にスプリアスが見える。こいつで、変調されて目的の信号の前後にスプリアスが生じると考えた。(これは、誤り)
Dscf0230

それで、この低域をカットするHPFを作ってみた。
Dscf0247

Dscf0255_1

Dscf0243
フィルターは100MHz辺りを目指したが、実測すると150MHz付近がカットオフ周波数になっている。主にコイルのインダクタンスが正確ではないためだと思う。0.9mm径の銅線をドリルの適当な径に巻いて伸ばしてインダクタンスを調整した。

それで、うまくスプリアスが取れたかというと、目的の信号では全く変化なし。もちろんDC付近の低域のスプリアスは綺麗になくなったが。
あまりのショック?で写真を撮り忘れた。(以下は、以前の写真だが、こんな感じで、目的の信号付近は全く変化なしだ。この時のクロック周波数は10MH。)
Dscf0233

まあ、冷静に考えると、2~4.4GHzのVCOの信号をディジタル的に分周して作っている。この分周が、スプリアスの原因(推定だが)だとすると、信号付近のスプリアスはこれによるもので、しっかり成分として現れるはずだ。それに加えてDC付近の成分を含むのであろう。したがって、HPFを付けて除去できるのは、このDC付近の物だけで、信号付近のスプリアスが除去できるはずがない。ということではないかと思う。

なので、信号付近のスプリアスを除去するためには、信号付近のBPFを入れる必要がありそうだ。このチップのクロック周波数が25MHzであれば、信号とスプリアスが結構離れているのでフィルターで分離できるのではないかと思う。BPFを作ってみようと思う。
(続く)


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